Mitsubishi QM50DY-HB to zaawansowany moduł mocy, który wykorzystuje tranzystory bipolarne z izolowaną bramką (IGBT). Jest to kluczowy element wielu układów elektronicznych, gdzie wymagana jest wysoka wydajność, niezawodność i efektywność energetyczna.

• Producent: Mitsubishi Electric

• Model: QM50DY-HB

• Typ: Moduł mocy IGBT

• Konfiguracja: Dual IGBT (podwójny tranzystor IGBT)

• Maksymalny prąd: 50 A

• Napięcie kolektor-emiter: 600 V

• Napięcie bramka-emiter: ±20 V

• Moc strat: 290 W (typowa)

• Izolacja elektryczna: 2500 V AC (izolacja pomiędzy obudową a złączem)

• Rezystancja cieplna: 0.35°C/W (od złącza do obudowy)

• Montaż: Montaż na radiatorze z odpowiednią izolacją termiczną

• Obudowa: Standardowa obudowa modułu mocy o wysokiej wytrzymałości mechanicznej